[发明专利]在衬底上形成图案的方法无效
| 申请号： | 201180026970.3 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102947918A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 安东·德维利耶;斯科特·西里斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在衬底上形成图案的方法包含在衬底上方形成间隔开的特征。聚合物被吸附到所述间隔开的特征的横向外表面。相对于所述所吸附聚合物选择性地移除所述间隔开的特征的材料，或相对于所述间隔开的特征选择性地移除所述所吸附聚合物的材料，以在所述衬底上形成图案。在一个实施例中，所述聚合物具有已知链长度且具有相对纵向末端。所述聚合物的所述纵向末端之一吸附到所述横向外表面，由此所述所吸附聚合物从所述横向外表面纵向伸出，其中所述链长度界定所述所吸附聚合物在所述间隔开的特征上的实质上均一横向厚度。涵盖另外的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成图案的方法，其包括：在衬底上方形成间隔开的特征；使聚合物吸附到所述间隔开的特征的横向外表面；以及相对于所述所吸附聚合物选择性地移除所述间隔开的特征的材料，或相对于所述间隔开的特征选择性地移除所述所吸附聚合物的材料，以在所述衬底上形成图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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