[发明专利]常温接合装置及常温接合方法有效
| 申请号： | 201180026986.4 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102934198A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 津野武志;后藤崇之;木内雅人;井手健介 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K20/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种常温接合方法，本发明的常温接合方法具备：通过将两个基板活化来制作两个活化基板的步骤、通过将两个活化基板接合来制作接合基板的步骤、将接合基板退火以使接合基板的残余应力降低的步骤。根据这种常温接合方法，能够降低接合基板的残余应力，能够进一步提高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 常温 接合 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种常温接合装置，具备：通过将使两个基板被活化而制成的两个活化基板接合来制作接合基板的接合室，将所述接合基板退火以使所述接合基板的残余应力降低的加热室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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