[发明专利]用于确定掺杂的半导体区域的有效掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 201180027583.1 | 申请日： | 2011-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102939527A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | J·波格丹诺维奇;T·克拉里塞;W·范德沃斯特 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 描述了用于光学地确定基本完全激活的掺杂分布图的方法（200）和系统。用一组物理参数来表征该基本完全激活的掺杂分布图。该方法（200）包括获得包含完全激活的掺杂分布图的样本和参照物、以及对于包含完全激活的掺杂分布图的该样本和对于该参照物，获得（210,230）光学调制的反射系数（PMOR）偏置曲线测量数据和DC反射系数测量数据。该方法还包括基于光学调制反射系数偏置曲线测量和DC反射系数测量二者，确定（220、240）掺杂分布图的一组物理参数的值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 掺杂 半导体 区域 有效 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光学地确定基本完全激活的掺杂分布图的方法（200），通过一组物理参数来表征所述基本完全激活的掺杂分布，该方法（200）包括‑获得包括所述完全激活的掺杂分布图的样本和参照物‑对于包括完全激活的掺杂分布图的所述样本、以及对于所述参照物，获得（210,230）光学调制反射系数（PMOR）偏置曲线测量数据和DC反射系数测量数据，和‑基于所述光学调制反射系数偏置曲线测量和DC反射系数测量二者，来确定（220,240）所述掺杂分布图的一组物理参数的值。
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