[发明专利]具有介入物的内建非凹凸层封装设计有效
| 申请号： | 201180027611.X | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102934223A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | P·马拉特卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482;H05K3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及集成电路封装设计领域，更具体地涉及使用内建非凹凸层(BBUL)设计的封装。本说明书的实施例涉及制造微电子封装的领域，其中可将诸如硅通孔介入物的介入物用于内建非凹凸层封装以利于堆叠的微电子部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介入 内建非 凹凸 封装 设计 | ||
【主权项】：
一种微电子封装，包括：微电子管芯，所述微电子管芯具有有源表面、相对的后表面以及在所述微电子管芯有源表面和所述微电子管芯后表面之间延伸的至少两个相对侧；在所述微电子管芯至少一侧附近的介入物；与所述微电子管芯至少一侧邻近的封装材料；以及附连于所述介入物的堆叠的微电子管芯。
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