[发明专利]超高选择性的可灰化硬模膜无效
| 申请号： | 201180027816.8 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102934209A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | K·D·李;M·J·西蒙斯;S·拉蒂;C·陈;M·H·林 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托耳至10托耳的低得多的压力下，在处理腔室中产生等离子体；及在基板上形成共形的非晶碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 选择性 灰化 硬模膜 | ||
【主权项】：
一种在基板处理腔室中的基板上形成非晶碳层的方法，包括：将烃源引入所述处理腔室；将氩单独或与氦、氢、氮以及这些气体的组合相结合地引入所述处理腔室，其中所述氩具有的体积流率与所述烃源的体积流率的比例为约10：1至约20：1；在约1托耳至10托耳的低得多的压力下，在所述处理腔室中产生等离子体；及在所述基板上形成共形的非晶碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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