[发明专利]光学传感器有效
申请号: | 201180027918.X | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN103038883A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 道山胜教;大仓孝充;远藤升;牧野泰明;牧野贵纪;石原纯 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G01J1/02;G01J1/06;H01L31/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光学传感器包括:半导体基板(10)上的第一和第二光接收元件(20);隔着透光膜(30)在半导体基板(10)上方的遮光膜(40);以及对应于光接收元件(20)并布置在遮光膜(40)中的第一和第二开口(41)。限定分别从第一和第二光接收元件(20a-20h)的中心延伸并通过第一和第二开口(41a-41h)的中心的第一和第二虚拟线(A-C)。第一和第二虚拟线(A-C)的仰角和左右角中的至少一个不同。第一光接收元件(20a-20h)的光敏面积大于第一开口(41a-41h)的开口面积。第二光接收元件(20a-20h)的光敏面积大于第二开口(41a-41h)的开口面积。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 | ||
【主权项】:
一种光学传感器,包括:多个光接收元件(20),布置在半导体基板(10)的一个表面侧并将光转换为电信号;透光膜(30),布置在所述半导体基板(10)的所述一个表面上并具有透光特性;遮光膜(40),隔着所述透光膜(30)布置在所述半导体基板(10)的所述一个表面上并具有遮光特性;以及多个开口(41),布置在所述遮光膜(40)中,用于将光引入到各自光接收元件(20)中,其中,所述光接收元件(20)包括第一光接收元件(20a到20h)和第二光接收元件(20a到20h),其中,所述开口包括对应于所述第一光接收元件(20a‑20h)的第一开口(41a到41h)和对应于第二光接收元件(20a‑20h)的第二开口(41a‑41h),其中,限定从所述第一光接收元件(20a‑20h)的中心延伸,并通过所述第一开口(41a‑41h)的中心的第一虚拟线(A‑C),其中,限定从所述第二光接收元件(20a‑20h)的中心延伸,并通过所述第二开口(41a‑41h)的中心的第二虚拟线(A‑C),其中,所述第一虚拟线(A‑C)和所述第二虚拟线(A‑C)的仰角和左右角中的至少之一不同,并且其中,所述第一光接收元件(20a‑20h)的光接收面积大于所述第一开口(41a‑41h)的开口面积,并且所述第二光接收元件(20a‑20h)的光接收面积大于所述第二开口(41a‑41h)的开口面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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