[发明专利]氢生成设备有效
| 申请号： | 201180028115.6 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102933487A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 德弘宪一;野村幸生;羽藤一仁;谷口升;铃木孝浩;田村聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04;B01J35/02;C25B1/04;C25B5/00;C25B9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 设备 | ||
【主权项】：
一种氢生成设备，具备：第1电极，其包括导电性基板、以及被担持在所述导电性基板上的光触媒性半导体；第2电极，其与所述第1电极电连接，并且在将所述第1电极的担持有所述光触媒性半导体的面侧的区域设为第1区域、将与该第1区域相反一侧的区域设为第2区域的情况下，该第2电极相对于所述第1电极而被配置在所述第2区域；电解液，其与所述光触媒性半导体以及所述第2电极相接触且包含水；和框体，其在内部保持所述第1电极、所述第2电极以及所述电解液，在所述第1电极以及所述第2电极的相对应的位置处分别设置贯通孔，所述贯通孔构成对所述第1区域和所述第2区域进行连通的连通孔，在所述连通孔中，按照堵塞所述连通孔的方式配置与所述连通孔实质上为相同形状的离子交换膜。
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