[发明专利]用于等离子体处理衬底的技术有效
| 申请号： | 201180028561.7 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103109342B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 海伦·梅纳德;卡莫尔·哈迪德;维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;卢多维克·葛特;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;伯纳德·G·琳赛 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;张洋 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 衬底 技术 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理衬底的方法，所述方法包括：在接近等离子体源处引入馈送气体，所述馈送气体包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平大于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压且在所述第二脉冲持续时间期间未向所述衬底加偏压。
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