[发明专利]具有含垂直位线和字线的有效解码的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器

摘要

跨过位于半导体基板以上不同距离处的平面的多个层形成存储器元件的三维阵列。响应于跨过存储器元件而施加的电压差，存储器元件可逆地改变电导的水平。该三维阵列包括从基板穿过平面的多个层的柱线（331,332）的二维阵列。第一组柱线（331）担当用于与每个平面上的字线（340）的阵列一起访问存储器元件的局部位线。第二组柱线（332）连接到字线（340）。基板上的金属线（251,252）的阵列可切换地连接到柱线以提供对第一组（331）和第二组（332）柱线的访问，由此分别提供对三维阵列的位线和字线的访问。

主权项

一种存储器，包括以三维样式的形式布置的存储器元件，该三维样式由具有x、y和z方向的矩形坐标定义并且具有在z方向上堆叠的多个平行平面，该存储器还包括：多条第一导线，穿过所述多个平面在z方向上伸长，并且以在x方向上的行和在y方向上的列的二维矩形阵列的形式布置，其中所述多条第一导线被划分为第一组和第二组第一导线；多条第二导线，跨过各个平面在x方向上伸长，并且在y方向上在各个平面中的多条第一导线之间间隔开并且与所述多条第一导线分离，其中所述第一和第二导线跨过各个平面在多个位置处彼此相邻地交叉；多个非易失性可再编程存储器元件，各自在第一组多个位置处与所述第一组第一导线和第二导线的交叉点相邻而连接在第一组第一导线和第二导线之间；多个连接器，各自在第二组多个位置处与所述第二组第一导线和第二导线的交叉点相邻而连接在第二组第一导线和第二导线之间；多条第三导线，被划分为第一组和第二组第三导线；以及第一组选择器件，布置为将在x方向上的所选行的第一导线切换到第一组第三导线；以及第二组选择器件，布置为将该多条第二导线的所选组切换到各自的第二组第三导线。