[发明专利]发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件有效
| 申请号： | 201180028669.6 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102934244A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赫贝特·布伦纳;帕特里克·宁斯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H05K3/32;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种发射辐射的半导体本体（14），所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区（4）的外延的半导体层序列（3）之外具有承载层，所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列（3）。此外，半导体本体（14）具有接触结构（9，91）以用于电接触半导体本体（14），所述接触结构分别具有体积区域（12）和表面接合区域（13），其中表面接合区域由与体积区域（12）的材料不同的材料形成。此外，提出一种用于制造这种半导体本体（14）和带有这种半导体本体（14）的器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体 本体 用于 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
发射辐射的半导体本体（14），带有：‑外延的半导体层序列（3），所述外延的半导体层序列带有适合产生电磁辐射的有源区（4），‑承载层（1），所述承载层设置成机械地稳固所述外延的半导体层序列（3），和‑接触结构（9，91），所述接触结构用于电接触所述半导体本体（14），所述接触结构分别具有体积区域（12）和表面接合区域（13），其中所述表面接合区域（13）由与所述体积区域（12）的材料不同的材料形成。
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