[发明专利]压电膜器件和压电膜装置有效
| 申请号： | 201180029026.3 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102959751A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 柴田宪治;末永和史;渡边和俊;野本明;堀切文正 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C04B35/495;H01L41/09;H01L41/39 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 器件 装置 | ||
【主权项】：
一种压电膜器件，其为在基板上具有压电膜的压电膜器件，所述压电膜具有用通式(K1‑xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，其中，0＜x＜1，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1‑xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社，未经日立电线株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180029026.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：塑胶转轴结构
- 下一篇：在具有受控压力区的等离子体系统中制备超细颗粒
