[发明专利]具有缩减横截面积的碳切换材料的存储器单元及其形成方法有效
| 申请号： | 201180029359.6 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102939655A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | F.克罗普尔;平尔萱;张京燕;许汇文 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在第一方面中，提供一种形成金属-绝缘体-金属（MIM）堆叠的方法，该方法包括：（1）形成介电材料，其具有开口以及在所述开口内的第一导电碳层；（2）在开口中形成的间隔件；（3）在所述间隔件侧壁上形成的碳基切换材料；以及（4）在所述碳基切换材料上面形成第二导电碳层。所述介电材料中开口的横截面积与所述间隔件侧壁上的所述碳基切换材料的横截面积的比率至少为5。提供众多其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缩减 横截面 切换 材料 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成金属‑绝缘体‑金属（MIM）堆叠的方法，该方法包括：形成介电材料，其具有开口以及在所述开口内的第一导电碳层；在开口中形成的间隔件；在所述间隔件侧壁上形成碳基切换材料；以及在所述碳基切换材料上面形成第二导电碳层，其中所述介电材料中开口的横截面积与所述间隔件侧壁上的所述碳基切换材料的横截面积的比率至少为5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D有限责任公司，未经桑迪士克3D有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180029359.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
