[发明专利]薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法

摘要

薄膜半导体装置包括：具备遮光性的栅电极（51）、第1绝缘层（120）、沟道层（54）、第2绝缘层（131）、源电极（53）以及漏电极（52）的半导体元件部（50）；以及具备由透明导电性材料形成的第1电容电极（61）、电介质层（120）和第2电容电极（62）的电容部（60）；栅电极（51）、沟道层（54）以及第2绝缘层（131）层叠为俯视时外形轮廓线一致。

主权项

一种薄膜半导体装置，具备基板和互相分离地形成于所述基板上的半导体元件部以及电容部，所述半导体元件部具备：形成于所述基板上的遮光性的栅电极；形成于所述栅电极上的第1绝缘层；形成于所述第1绝缘层上的沟道层；形成于所述沟道层上的第2绝缘层；以及形成于所述第2绝缘层上的源电极以及漏电极；所述电容部具备：由透明导电性材料形成于所述基板上的第1电容电极；由与所述第1绝缘层相同的材料形成于所述第1电容电极上的电介质层；以及由与所述源电极以及所述漏电极的至少一方相同的导电性材料形成于所述电介质层上的第2电容电极；所述栅电极、所述沟道层以及所述第2绝缘层层叠为俯视时外形轮廓线一致。