[发明专利]功率半导体器件

摘要

本发明提供具有晶圆（10）的功率半导体器件，其包括在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间的下列层：（n-）掺杂漂移层（3），n掺杂第一区（81），其设置在漂移层（3）与集电极电极（25）之间，p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。

主权项

一种具有晶圆（10）的功率半导体器件，包括不同传导类型的层，所述层设置在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间，所述集电极侧（25）设置在所述发射极侧（11）的相对侧，所述器件包括：－第一传导类型的漂移层（3），其设置在所述发射极侧（11）与所述集电极侧（15）之间，－第一层（8），其包括第一传导类型的且比所述漂移层（3）具有更高掺杂浓度的第一区（81），所述第一层（8）设置在所述漂移层（3）与所述集电极电极（25）之间，－第二传导类型的多个基极层（4），其设置在所述漂移层（3）与所述发射极电极（2）之间，所述基极层（4）与所述发射极电极（2）直接电接触，－第一传导类型的多个源区（6），其设置在所述发射极侧（11）且嵌入所述基极层（4）中的一个内并且接触所述发射极电极（2），所述源区（6）具有比所述漂移层（3）更高的掺杂浓度，－多个栅电极，其中每个通过绝缘层（78）而与所述基极层（4）、所述源区（6）和所述漂移层（3）电绝缘，其中所述发射极电极（2）包括多个基极层接触区域（22），在基极层接触区域（22），所述发射极电极（2）接触所述基极层（4）和所述源区（6），其中有源半导体单元（18）在所述晶圆（10）内形成，所述有源半导体单元（18）包括这样的层或这样的层的部分：其位于关于与所述源区（6）中之一接触的所述基极层接触区域（22）中之一的发射极侧（11）、所述源区（6）和所述基极层（4）中之一的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中，其中团簇由多个该有源单元形成，特别地由至少10个有源单元形成，所述有源单元在所述发射极侧（11）上的一个方向上直接邻近彼此而设置并且以单元间距来设置有源单元，其特征在于所述器件进一步包括第二传导类型的阱（5），其设置在与所述发射极侧（11）平行并且其中设置所述基极层（4）的平面中，其中所述阱（5）具有表面区域并且其中所述阱（5）设置在所述有源单元（18）外部并且经由所述基极层（4）或直接在阱接触区域至少其中之一方式而与所述发射极电极（2）电连接，所述阱接触区域是所述阱（5）的最大区域的至多10%，其中所述阱（5）设置在除设置所述多个有源单元的方向以外的、特别地垂直于该方向的另一个方向上。