[发明专利]通过注入和照射制备衬底的方法有效
| 申请号： | 201180030389.9 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102986019A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备衬底(1)的方法，所述方法的目的是通过用光通量(F)照射衬底而使称为脱离层的层从所述衬底上脱离，所述照射用来对所述衬底的隐埋区域加热并使该区域中的材料分解，从而使所述脱离层脱离，所述方法的特征在于包括以下步骤：a)制造中间衬底，所述中间衬底包括称为隐埋层的第一层(2)和称为覆盖层的第二层(4)，所述第二层(4)覆盖第一层(2)的全部或一部分，所述覆盖层(4)对所述光通量(F)基本透明，通过在所述衬底中注入粒子而形成的所述隐埋层(2)则能够吸收所述通量(F)，b)对所述隐埋层(2)的被称为处理区域的区域进行选择性的绝热照射，直至构成所述隐埋层的材料因此发生至少部分分解。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 注入 照射 制备 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制备衬底(1)的方法，所述方法的目的是通过用光通量(F)照射衬底而使称为脱离层的层从所述衬底上脱离，所述照射用来加热所述衬底的隐埋区域并使所述区域中的材料分解，从而使所述脱离层脱离，所述方法的特征在于包括以下步骤：a)制造中间衬底，所述中间衬底包括称为隐埋层的第一层(2)和称为覆盖层的第二层(4)，所述第二层(4)覆盖所述第一层(2)的全部或一部分，‑所述覆盖层(4)对所述光通量(F)基本透明，‑通过在所述衬底中注入粒子而形成的所述隐埋层(2)则能够吸收所述通量(F)，b)对所述隐埋层(2)的被称为处理区域的区域进行选择性的绝热照射，直至构成所述隐埋层(2)的材料因此发生至少部分分解。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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