[发明专利]光电转换装置的制造方法无效
申请号: | 201180030522.0 | 申请日: | 2011-05-17 |
公开(公告)号: | CN102959719A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 秋保悠平;山根司;西宫立享 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;车文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够通过简单的处理工序提高光电转换装置的输出的制造方法。一种光电转换装置(100)的制造方法,包括:在基板(1)上形成第一发电元件层(91)的工序;在该第一发电元件层(91)上形成中间接触层(5)的工序;在该中间接触层(5)上形成第二发电元件层(92)的工序,其中,包括如下工序中的至少一个工序:在形成了所述第一发电元件层(91)之后,将所述基板(1)在大气中以室温保持5小时以上且25小时以下;在形成了所述中间接触层(5)之后,将所述基板(1)在大气中以室温保持20小时以上且50小时以下。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置的制造方法,包括:在基板上形成第一发电元件层的工序;在该第一发电元件层上形成中间接触层的工序;在该中间接触层上形成第二发电元件层的工序,其中,包括如下工序中的至少一个工序:在形成了所述第一发电元件层之后,将所述基板在大气中以室温保持5小时以上且25小时以下;在形成了所述中间接触层之后,将所述基板在大气中以室温保持20小时以上且50小时以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的