[发明专利]光电变换装置有效
申请号: | 201180030581.8 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102947947A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 小西博文;时冈秀忠 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/042 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此,提供一种光电变换装置,在透光绝缘基板(1)上将表面电极(2)、由半导体材料构成的光电变换层(4)、由透明导电氧化物构成的透明导电层(7)、以及由金属材料构成的背面电极(6)按照该顺序层叠,在该光电变换装置中,由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层(8)与所述透明导电层(7)和所述背面电极(6)相接而被夹住。 | ||
搜索关键词: | 光电 变换 装置 | ||
【主权项】:
一种光电变换装置,在该光电变换装置中,将表面电极、由半导体材料构成的光电变换层、由透明导电氧化物构成的透明导电层、以及由金属材料构成的背面电极按照该顺序层叠,其中,由以硅为主成分的半导体材料构成且折射率比所述透明导电层高的导电层与所述透明导电层和所述背面电极相接而被夹住。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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