[发明专利]压电薄膜元件的制造方法、压电薄膜元件以及压电薄膜元件用部件有效
| 申请号： | 201180030839.4 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102959752A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 池内伸介;山本观照 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;C04B35/495;C23C14/06;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有表面形态良好、结晶性优异的压电薄膜层的压电薄膜元件的制造方法。压电薄膜元件的制造方法包括：在基板(1)上形成下部电极层(2)的工序；在下部电极层(2)上，以相对较低的成膜温度来形成压电薄膜缓冲层(3)的工序；在压电薄膜缓冲层(3)上，以比压电薄膜缓冲层(3)的成膜温度高的成膜温度来形成压电薄膜层(4)的工序；以及在压电薄膜层(4)上形成上部电极层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 元件 制造 方法 以及 部件 | ||
【主权项】：
一种压电薄膜元件的制造方法，是具备在基板上按照下部电极层、压电薄膜缓冲层、压电薄膜层、以及上部电极层的顺序进行层叠的构造的压电薄膜元件的制造方法，该压电薄膜元件的制造方法包括：在基板上形成下部电极层的工序；在上述下部电极层上，以比上述压电薄膜层的成膜温度低的成膜温度来形成压电薄膜缓冲层的工序；在上述压电薄膜缓冲层上，以比上述压电薄膜缓冲层的成膜温度高的成膜温度来形成压电薄膜层的工序；以及在上述压电薄膜层上形成上述上部电极层的工序。
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