[发明专利]用于转移单晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种源自单晶硅制成的供体衬底(1)的单晶硅薄层(3)的转移方法，此种转移方法包括：注入条件为使得薄层(3)的厚度小于10微米；以及用于将此薄层粘合到接收衬底的聚合物层(5)的厚度位于一个临界阈值之下，此临界阈值定义为注入的能量及剂量的函数，临界阈值小于或等于以下两个数量的最小的值：500纳米，以及此未来薄层的厚度。

主权项

一种源自单晶硅制成的供体衬底的单晶硅薄层的转移方法，其中所述供体衬底(1、11)自一个自由面具有的至少一个厚度大于待转移的所述薄层(3、13)的厚度，该转移方法包括：‑通过该自由面注入至少一个给定种类的离子，以便在所述单晶硅中形成一埋入的脆化层(2、12)，‑利用聚合物层(5、15)，所述供体衬底通过所述自由面结合到接收衬底(4、14)，以及‑通过本质上的热断裂处理，源自所述供体衬底的该薄层的断裂在所述埋入的脆化层(2、12)促成，其特征在于：‑注入条件为使得所述薄层(3、13)的该厚度小于10微米，以及‑所述聚合物层(5、15)的该厚度位于一个临界阈值之下，该临界阈值定义为注入的该能量及剂量的函数，该临界阈值小于或等于以下两个数量的该最小的值：·500纳米，以及·该未来薄层的该厚度。