[发明专利]包含异相聚烯烃共聚物和任选硅烷的电子器件模块无效
| 申请号： | 201180030926.X | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102985253A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | J·A·瑙莫维茨;R·M·帕特尔;S·吴;D·H·尼曼 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B17/10 | 分类号： | B32B17/10;H01L31/048 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件模块，其包括：A.至少一个电子器件如太阳能电池，和B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料包含(1)聚烯烃共聚物，其特征在于，具有平均Mv，和介于互聚物与高晶体馏分之间的波谷温度，Thc，使得来自ATREF的ThC以上馏分的平均Mv除以来自ATREF的全部聚合物的平均Mv的值(MhC/Mp)小于约1.95，其中所述共聚物的CDBI小于60%，(2)任选的乙烯基硅烷，(3)任选的自由基引发剂或光引发剂，其量以所述共聚物的重量为基准计至少约为0.05重量%，和(4)任选的助剂，其量以所述共聚物的重量为基准计至少约为0.05重量%。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 相聚 烯烃 共聚物 任选 硅烷 电子器件 模块 | ||
【主权项】：
一种电子器件模块，其包括：A.至少一个电子器件，和B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料包含：(1)聚烯烃共聚物，其特征在于，具有平均Mv和介于互聚物与高晶体馏分之间的波谷温度Thc，使得来自ATREF的Thc以上馏分的平均Mv除以来自ATREF的全部聚合物的平均Mv的值(Mhc/Mp)小于约1.95，其中所述共聚物的CDBI小于60%，(2)任选的乙烯基硅烷，(3)任选的自由基引发剂或光引发剂，其量以共聚物重量为基准计，至少约为0.05重量%，和(4)任选的助剂，其量以共聚物重量为基准计，至少约为0.05重量%。
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