[发明专利]等离子体处理装置的可移动室衬等离子体约束屏蔽组合有效
申请号: | 201180031151.8 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102947920A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 丹尼·布朗;伦纳德·沙普利斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种等离子体反应室中的可移动对称室衬,用于保护等离子体反应室、提高等离子体密度和均匀性、以及降低工艺气体消耗,包括圆柱形壁、具有多个开口的底壁、具有嵌入式加热器的凸起的内边沿、加热器触点、以及RF接地返回触点。室衬在上部位置和下部位置之间被致动器移动,在上部位置,衬底可被传递出入该室,在下部位置,衬底在该室中进行处理。致动器还提供到加热器和RF接地返回触点的电气连接。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 移动 约束 屏蔽 组合 | ||
【主权项】:
一种可移动室衬,其被构造为在具有处理半导体衬底用途的等离子体反应室中,围绕衬底支撑件的周界安装,所述室衬包括:环状底壁,其具有多个气体通道,所述环状底壁被构造为当所述可移动室衬位于所述等离子体反应室中的下部位置时处于所述衬底支撑件的衬底支撑表面的下方;连续圆柱形外壁,其没有从中穿过的开口,从所述底壁的外部周界轴向地向上延伸,当所述可移动室衬位于所述下部位置时,所述圆柱形外壁的上表面在所述衬底支撑件的所述衬底支撑表面上方延伸;内边沿,其从所述底壁的内部周界轴向地向上延伸,当所述可移动室衬位于所述下部位置时,所述内边沿的最上面的表面不在所述衬底支撑件的所述衬底支撑表面上方延伸;加热器,其由所述内边沿支撑,且能操作来将所述可移动室衬加热至升高的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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