[发明专利]密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件有效
申请号: | 201180031181.9 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102948255A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 石川拓;林辉幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件(12)的密封膜(13)的密封膜形成方法中,在有机EL元件(12)的表面上形成第一无机层(13a),在第一无机层(13a)之上形成碳氢化合物层(13c),通过使碳氢化合物层(13c)软化或熔化而使其平坦化,使碳氢化合物层(13c)固化,使碳氢化合物层(13c)固化后,在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层(13a)厚的第二无机层(13e)。 | ||
搜索关键词: | 密封 形成 方法 装置 有机 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种密封膜形成方法,其用于形成用于密封有机发光元件的密封膜,其特征在于,在上述有机发光元件的表面上形成第一无机层,在该第一无机层之上形成碳氢化合物层,通过使该碳氢化合物层软化或熔化而使该碳氢化合物层平坦化,使上述碳氢化合物层固化,使上述碳氢化合物层固化后,在该碳氢化合物层之上形成比上述第一无机层厚的第二无机层。
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