[发明专利]Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶无效
| 申请号： | 201180031289.8 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102959107A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 失野智泰 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;B21B3/00;B22D21/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;张皓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶，所述Cu－Ga合金含有质量百分比25～30%的Ga，且余量为Cu，所述Cu－Ga合金的特征在于，通过电子显微镜得到的组织图像上所呈现出的、Ga浓度为质量百分比30～35%的相即γ相的平均等效圆直径为50μm以下，且最大等效圆直径为200μm以下。由于本发明的Cu－Ga合金通过使组织具有特定的相结构，从而即使在通过铸造法进行制作的情况下也难以产生裂纹或缺口等，因此，能够在以质量百分比25～30%的较高浓度含有Ga的同时实施压延加工。因此，能够通过压延来制造Ga的含有量较多的溅射靶，且能够实现溅射靶的生产率的提高。此外，在通过铸造法来制作本发明的Cu－Ga合金的情况下，与通过热压等的粉末烧结法而制造的Cu－Ga合金溅射靶相比，溅射速率较快。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 以及 溅射 | ||
【主权项】：
一种Cu－Ga合金，含有质量百分比25～30%的Ga，且余量为Cu，所述Cu－Ga合金的特征在于，通过电子显微镜而得到的组织图像上所呈现出的、Ga浓度为质量百分比30～35%的相即γ相的平均等效圆直径为50μm以下，且最大等效圆直径为200μm以下。
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