[发明专利]外延生长基板与半导体装置、外延生长方法

摘要

使Ⅲ族氮化物半导体于Si单结晶基板上进行异质外延生长时，抑制在晶片端部发生的裂化。区域A为主要面外侧的最外周部，如图所示，其是施加了锥形加工的斜边部。区域B与区域C在同一平面即在于主要面上，区域B即镜面部为主要面的中心部，区域C为围绕区域B的主要面端部区域。主要面的面方位为（111）面，在区域B上施加有镜面加工。区域B占据了此Si单结晶基板11主要面的大部分，在其上面制造半导体装置。区域C即粗面部的面方位与区域B相同，为（111）面，但是相对于区域B上施加有镜面加工，而区域C上则施加有粗面加工。

主权项

一种外延生长基板，其特征为，其是具备硅单结晶基板和由Ⅲ族氮化物半导体在所述硅单结晶基板的主要面上形成的缓冲层的外延生长基板，所述缓冲层在所述硅单结晶基板的主要面中心部上为单结晶，在所述硅单结晶基板主要面上的所述中心部周围区域为多结晶。