[发明专利]用于制造由第一和第二半导体的混合物组成的有机半导体层的方法无效

专利信息
申请号: 201180031580.5 申请日: 2011-06-10
公开(公告)号: CN102959754A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 穆罕默德·本瓦迪赫 申请(专利权)人: 原子能与替代能源委员会
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;董文国
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 用于制造由第一和第二有机半导体的混合物组成的有机半导体层(38)的这种方法,包括以下步骤:(i)制造由第一半导体组成的多孔固体本体(32),其具有开口孔隙并且适用于容纳第二半导体;(ii)使包含溶解或分散于溶剂中的第二半导体的液体至少沉积在所述多孔固体本体的外表面上,该溶剂相对于第一半导体为惰性并且蒸发温度低于第二半导体的蒸发温度;以及(iii)当多孔固体本体(32)至少部分地吸收该液体时,加热至高于溶剂蒸发温度但低于第一和第二半导体蒸发温度的温度使溶剂蒸发。该多孔固体通过以下方法制备:将气泡注入溶解或分散于溶剂(B’)中的第一半导体的溶液中,然后蒸发所述溶剂(B’),所述溶剂(B’)的温度低于气体的蒸发温度。
搜索关键词: 用于 制造 第一 第二 半导体 混合物 组成 有机半导体 方法
【主权项】:
一种用于制造有机半导体层(38)的方法,所述有机半导体层(38)由第一有机半导体材料和第二有机半导体材料的混合物形成,所述方法包括:·形成由所述第一半导体材料形成的多孔固体本体(32),其具有互连孔隙并且能够容纳第二半导体材料;·使包含溶解或分散于溶剂(A)中的所述第二半导体材料的液体(32)至少沉积在所述多孔固体本体的外表面上,所述溶剂(A)相对于所述第一半导体材料为惰性并且其蒸发温度低于所述第二半导体材料的蒸发温度;以及·当所述多孔固体本体(32)已被所述液体至少部分浸渍时,通过加热至高于所述溶剂的蒸发温度并且低于所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的蒸发温度的温度来使所述溶剂(A)蒸发,所述方法的特征在于形成所述多孔固体包括:将气泡引入溶解或分散于溶剂(B’)中的第一半导体材料的溶液中,然后蒸发所述溶剂(B’),所述溶剂(B’)的温度低于所述气体的蒸发温度。
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