[发明专利]阵列半导体辐射发射装置的分布冷却无效
| 申请号： | 201180031942.0 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103348185A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·卡茨;本杰明·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 派拉斯科IP有限责任公司 |
| 主分类号： | F21V29/00 | 分类号： | F21V29/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 吴晓辉 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于从固态半导体装置(例如蒸煮或加热装置)移除废热的技术。特定来说，提供用于通过与冷却系统接触的散热片从所述装置传导废热的技术。此外，提供可适用于多个固态半导体源的多头冷却系统。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 半导体 辐射 发射 装置 分布 冷却 | ||
【主权项】：
一种用于向基于半导体的辐射发射装置的阵列提供冷却的系统，所述系统包含：安装衬底，所述辐射发射装置阵列安装到所述安装衬底的第一表面上，所述安装衬底包括具有高导热性的第一材料及具有电绝缘特征的第二材料中的至少一者；热交换体，其连接到所述安装衬底的第二表面；热交换流体腔，其在所述热交换体内，所述热交换流体腔操作以维持热交换流体在所述热交换体中的流动；及流体连接，其被提供到所述热交换流体腔的入口及出口。
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