[发明专利]光电子器件及其制造方法

摘要

提出一种具有半导体芯片（1）和载体（12）的光电子器件，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层（14）与半导体芯片（1）连接，其中半导体芯片（1）具有朝向载体（12）的电连接区域（18，19），并且载体（12）在背离半导体芯片（1）的后侧上具有电后侧接触部（28、29）。后侧接触部（28、29）分别借助于至少一个穿过载体（12）延伸的通孔敷镀部（15）与第一或第二电连接区域（18、19）导电地连接，其中第一和/或第二电后侧接触部（28、29）借助于至少一个其他的穿过载体延伸的通孔敷镀部（15、16）与第一或第二电连接区域（18、19）连接。此外，提出一种用于制造这种光电子器件的方法。

主权项

用于制造光电子器件的方法，所述光电子器件具有：半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有半导体层序列(20)，所述半导体层序列具有有源层(3)；和载体(12)，所述载体借助于由金属或金属合金制成的连结层(14)与所述半导体芯片(1)连接，其中‑所述半导体芯片(1)具有第一电连接区域(18)和第二电连接区域(19)，‑所述第一电连接区域(18)和所述第二电连接区域(19)朝向所述载体(12)，‑所述载体(12)在背离所述半导体芯片(1)的后侧上具有第一电后侧接触部(28)和第二电后侧接触部(29)，‑所述第一电后侧接触部(28)借助至少一个穿过所述载体(12)延伸的通孔敷镀部(15)与所述第一电连接区域(18)导电地连接，‑所述第二电后侧接触部(29)借助至少一个穿过所述载体(12)延伸的通孔敷镀部(16)与所述第二电连接区域(19)导电地连接，‑所述第一电后侧接触部和/或所述第二电后侧接触部(28、29)借助至少一个其他的穿过所述载体延伸的通孔敷镀部(15、16)与所述第一电连接区域或所述第二电连接区域(18、19)连接，并且‑所述通孔敷镀部(15、16)由与所述连结层(14)相同的金属或相同的金属合金制成，所述方法具有下面的方法步骤：‑提供载体(12)，所述载体具有多个开口(22)以用于构成通孔敷镀部(15、16)，‑提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有第一电连接区域(18)和第二电连接区域(19)，其中所述第一电连接区域(18)和所述第二电连接区域(19)通过在所述半导体芯片(1)中的凹部(23)彼此分离，‑用电绝缘材料(17)填充所述凹部(23)，使得所述电绝缘材料(17)伸出超过所述连接区域(18、19)的子区域，‑将所述载体放置到所述半导体芯片上，其中伸出超过所述连接区域(18、19)的所述电绝缘材料(17)作用为间距保持层，使得在所述半导体芯片(1)和所述载体(12)之间形成间隙(24)，‑将液态的金属或液态的金属合金穿过在所述载体中的所述开口(22)填入所述间隙(24)中，其中所述金属或所述金属合金在凝固后构成所述连结层(14)和所述通孔敷镀部(15、16)。