[发明专利]等离子体处理装置及方法有效
申请号: | 201180032082.2 | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN103003924A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 松本直树;吉川弥;濑尾康弘;加藤和行 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器(44)将自共用气体源(41)供给的共用气体分支成两个系统,将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器(2)的电介质窗(16)的中央的中央导入口58(55)和在基板(W)的上方沿周向排列的多个周边导入口(62)。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板(W)的下方的排气口(11a)对被导入至处理容器(2)内的共用气体和添加气体进行排气,将处理容器(2)内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙(21)的缝隙天线(20)将微波导入至处理容器(2)内,多个周边导入口(62)所设置的区域的电子温度比中央导入口(58、55)所设置的区域的电子温度低。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其包括:处理容器,其在顶部具有供微波穿过的电介质窗,并且能够将内部保持为气密;载置台,其设于上述处理容器的内部,用于载置基板;缝隙天线,其设于上述处理容器的上述电介质窗的上表面,用于借助多个缝隙将微波导入至上述处理容器的处理空间;微波产生器,其用于产生规定的频率的微波;微波导入通路,其用于将上述微波产生器所产生的微波引导至上述缝隙天线;处理气体导入部件,其用于将自处理气体源供给的处理气体导入至上述处理容器内;排气部件,其自比载置于上述载置台的基板的上表面靠下方的排气口对被导入至上述处理容器内的处理气体进行排气,该等离子体处理装置的特征在于,上述处理气体源具有用于供给共用气体的共用气体源和用于供给添加气体的添加气体源,上述处理气体导入部件具有:共用气体管线,其与上述共用气体源连接;分流器,其设于上述共用气体管线的中途,用于将上述共用气体管线分支成两个系统,并且能够对分支成两个系统的上述共用气体的流量的比率进行调节;中央导入部,其与分支成两个系统的分支共用气体管线之中的一个分支共用气体管线连接,且具有用于将上述共用气体供给至被载置于上述载置台的基板的中央部的中央导入口;周边导入部,其与分支成两个系统的上述分支共用气体管线之中的另一个分支共用气体管线连接,且具有用于将上述共用气体供给至被载置于上述载置台的基板的周边部的、沿基板 上方的周向排列的多个周边导入口;添加气体管线,其与上述添加气体源连接,用于将上述添加气体添加至分支成两个系统的上述分支共用气体管线之中的至少一个分支共用气体管线;流量调节部,其设于上述添加气体管线,用于调节上述添加气体的流量,上述中央导入口配置在上述处理容器的上述电介质窗的中央部,上述多个周边导入口配置在比上述处理容器的上述电介质窗靠下方且比载置于上述载置台的基板靠上方的位置,上述多个周边导入口所配置的区域的等离子体的电子温度比上述中央导入口所配置的区域的等离子体的电子温度低。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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