[发明专利]使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长有效
| 申请号： | 201180032355.3 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN103038400A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | R·T·邦杜库;S·P·拉奥;S·R·吉布;L·J·斯高沃特 | 申请（专利权）人： | 晶体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在各种实施方案中，在半导体晶体的形成过程中大致平行和大致垂直于生长方向的非零热梯度在生长室内例如通过在生长室外安排热屏蔽层的方式形成，其中两个热梯度（平行比垂直）的比率小于10。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 梯度 控制 大块 氮化 铝单晶 生长 | ||
【主权项】：
一种形成单晶氮化铝（AlN）的方法，该方法包括： 在生长室内冷凝包含铝和氮气的蒸气，从而形成沿生长方向尺寸增加的AlN单晶；以及 在此期间，在生长室中形成和维持，（i）在基本平行于生长方向的方向上第一非零热梯度和（ii）在基本垂直于生长方向的方向上第二非零热梯度， 其中，所述的第一热梯度和第二热梯度的比率小于10。
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