[发明专利]对绝缘体基材上的硅进行精整的方法

摘要

本发明提供了一种用于对绝缘体上半导体结构或玻璃（或其它绝缘体基材）上半导体结构上的所转移层进行精整的方法，该方法通过将半导体层的受损表面部分除去，同时在玻璃上留下平滑的经精整的半导体膜来进行。使用氧等离子体处理所述受损表面层，以使所述受损层氧化并将所述受损层转化为氧化物层。然后在湿浴例如氢氟酸浴中将所述氧化物层剥除，从而将所述半导体层的受损部分除去。所述受损层可为由用来制造所述绝缘体上半导体结构或所述玻璃上半导体结构的薄膜转移法得到的离子注入受损层。

主权项

一种形成玻璃上半导体结构的方法，该方法包括：对半导体给体晶片的注入表面进行离子注入处理，以形成半导体给体晶片的剥离层；使所述剥离层的注入表面与玻璃基材结合；将所述剥离层与所述半导体给体晶片分离，从而在所述剥离层的表面上露出离子注入受损层；使所述露出的受损层经受氧等离子体，以使所述露出的受损层氧化，并且将至少一部分所述露出的受损层转化为氧化物层；以及将所述氧化物层剥除，从而将至少一部分所述受损层除去。