[发明专利]具有硅纳米粒子的太阳能电池的制造在审

专利信息
申请号: 201180032561.4 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN103026507A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 戴维·D·史密斯;金太锡 申请(专利权)人: 太阳能公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;崔利梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池结构,包括硅纳米粒子扩散区。所述扩散区可以通过将硅纳米粒子印刷在薄电介质(203)例如二氧化硅上而形成。润湿剂可以在印刷纳米粒子之前在薄电介质上形成。纳米粒子可以通过喷墨印刷技术来印刷。所述纳米粒子可以在第一阶段和第二阶段中热加工,所述第一阶段中的热加工通过加热所述纳米粒子以将有机材料从所述纳米粒子(205)中热驱出,所述第二阶段中的热加工通过加热所述纳米粒子以在所述薄电介质(207)上形成连续纳米粒子膜。
搜索关键词: 具有 纳米 粒子 太阳能电池 制造
【主权项】:
一种制造太阳能电池结构的方法,所述方法包括:在太阳能电池基板上形成薄电介质层;通过在所述薄电介质层上印刷P型掺杂硅纳米粒子来形成所述太阳能电池结构的第一扩散区;通过在所述薄电介质层上印刷N型掺杂硅纳米粒子来形成所述太阳能电池结构的第二扩散区;以及通过在低于所述N型掺杂硅纳米粒子和所述P型掺杂硅纳米粒子熔点的第一温度下加热所述N型掺杂硅纳米粒子和所述P型掺杂硅纳米粒子而在所述薄电介质层上形成连续纳米粒子膜。
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