[发明专利]具有硅纳米粒子的太阳能电池的制造在审
申请号: | 201180032561.4 | 申请日: | 2011-06-08 |
公开(公告)号: | CN103026507A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 戴维·D·史密斯;金太锡 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;崔利梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池结构,包括硅纳米粒子扩散区。所述扩散区可以通过将硅纳米粒子印刷在薄电介质(203)例如二氧化硅上而形成。润湿剂可以在印刷纳米粒子之前在薄电介质上形成。纳米粒子可以通过喷墨印刷技术来印刷。所述纳米粒子可以在第一阶段和第二阶段中热加工,所述第一阶段中的热加工通过加热所述纳米粒子以将有机材料从所述纳米粒子(205)中热驱出,所述第二阶段中的热加工通过加热所述纳米粒子以在所述薄电介质(207)上形成连续纳米粒子膜。 | ||
搜索关键词: | 具有 纳米 粒子 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池结构的方法,所述方法包括:在太阳能电池基板上形成薄电介质层;通过在所述薄电介质层上印刷P型掺杂硅纳米粒子来形成所述太阳能电池结构的第一扩散区;通过在所述薄电介质层上印刷N型掺杂硅纳米粒子来形成所述太阳能电池结构的第二扩散区;以及通过在低于所述N型掺杂硅纳米粒子和所述P型掺杂硅纳米粒子熔点的第一温度下加热所述N型掺杂硅纳米粒子和所述P型掺杂硅纳米粒子而在所述薄电介质层上形成连续纳米粒子膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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