[发明专利]制备用于结合的表面的氧等离子体转化方法

摘要

一种用于制备半导体晶片材料的表面的方法，所述表面不可与另一种基材，例如半导体或者玻璃基材发生结合，通过用氧等离子体对晶片表面进行处理氧化表面，使得其更光滑、亲水性并可与另一种基材结合。可任选地用酸剥除经过转化的氧化物层，从而去除晶片表面上的污染物。经过剥除的表面可以进行第二氧等离子体处理使得表面更光滑，使得表面具有亲水性并可与另一种基材的表面结合。半导体晶片上可以具有由阻隔材料，例如SixNy或者SiNxOy形成的阻隔层，所述阻隔材料不可与另一种基材结合。

主权项

一种对半导体晶片的不可结合表面进行制备的方法，使得所述不可结合表面与另一种基材进行结合，该方法包括以下步骤：得到具有结合表面的半导体晶片，所述结合表面不能与另一种基材发生结合；用氧等离子体对半导体晶片的结合表面进行处理，对所述半导体晶片的结合表面进行氧化，并将半导体晶片的表面区域转化为氧化物层，所述氧化物层是亲水性且可以与另一种基材结合。