[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201180032755.4 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102971875A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;藤金正树;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有偏振特性的氮化物系半导体发光元件的周围，将具有圆柱形状的透光性密封部设为，圆柱形状的对称面相对于氮化物系半导体发光元件的偏振方向处于25～65度的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，具备：氮化物半导体发光元件，从活性层放射在与所述活性层平行的面内所包含的偏振方向上偏振的偏振光；以及透光性密封部，覆盖所述氮化物半导体发光元件，具有与所述活性层垂直的对称面；所述氮化物半导体发光元件的所述偏振方向相对于所述透光性密封部的所述对称面以不包括0度和90度的角度倾斜。
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