[发明专利]用于产生具有银（Ag）基间隙的闪烁体阵列的方法有效
| 申请号： | 201180032905.1 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102985845A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | S·莱韦内 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙（304），和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙（306）。该方法还包括向该阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层（312）。该方法还包括通过利用相邻阵列之间的基本相等的粘合剂层重叠地（附图3B）堆积涂有银的阵列，来形成堆栈。该方法还包括经由较宽的非银基间隙将该堆栈进行切片，从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列（314），其具有沿所述阵列的至少一个方向的银基间隙（312）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 具有 ag 间隙 闪烁 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：获得多个氧硫化钆的二维阵列，其中，阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙，和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙；向所述阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层；通过利用相邻层之间的基本相等的粘合剂层重叠地堆积涂有银的阵列，来形成堆栈；以及经由所述较宽的非银基间隙将所述堆栈进行切片，从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列，其具有沿着所述阵列的至少一个方向的银基间隙。
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