[发明专利]锗光检测器有效
| 申请号： | 201180033214.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102986041A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 朴镇弘;S·阿塞法;金志焕;Y·弗拉索夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层和所述衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在所述Ge层上形成第二绝缘层；在所述Ge层中注入n型离子；构图所述n型Ge层；在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热所述器件以结晶所述Ge层而产生单晶n型Ge层以及形成电连接至所述单晶n型Ge层的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 | ||
【主权项】：
一种形成光检测器器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层和所述衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在所述Ge层上形成第二绝缘层；在所述Ge层中注入n型离子；构图所述n型Ge层；在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热所述器件以结晶所述Ge层而产生单晶n型Ge层；以及形成电连接至所述单晶n型Ge层的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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