[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201180033531.5 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102971447A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;梨木智刚;菅原英男 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;B32B9/00;C23C14/58;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内，所述非晶膜被结晶化。相对于铟和四价金属共计100重量份，前述铟系复合氧化物优选含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜的制造方法，其是制造在长条状透明薄膜基材上形成有结晶铟系复合氧化物膜的长条状透明导电性薄膜的方法，该方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内，所述非晶膜被结晶化，相对于铟和四价金属共计100重量份，所述铟系复合氧化物含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。
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