[发明专利]用于使用STDP 和多巴胺信令的三忆阻器突触的方法和系统有效
| 申请号： | 201180033656.8 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102971753A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | Y·唐;J·A·莱温;V·阿帕林;V·兰加恩 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张扬;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请提出了三忆阻器突触的实现，其中，对突触强度的调节是基于尖峰时序相关的可塑性（STDP）和多巴胺信令。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 stdp 多巴胺 三忆阻器 突触 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于突触前神经元电路和突触后神经元电路之间的连接的突触电路，包括：多个忆阻器，其用于调节所述连接的强度，其中，后面跟着所述突触后神经元电路的尖峰的所述突触前神经元电路的尖峰触发了所述忆阻器中的第一忆阻器的阻抗的减小从而导致所述连接的强度增大，在所述强度增大期间所述忆阻器中的第二忆阻器连接到所述第一忆阻器，并且在由于所述尖峰而引起的所述强度增大之前，改变了所述第二忆阻器的阻抗，以及，后面跟着所述突触前神经元电路的另一尖峰的所述突触后神经元电路的另一尖峰触发了所述第一忆阻器的阻抗的增大从而导致所述连接的强度减小，在所述强度减小期间所述忆阻器中的第三忆阻器连接到所述第一忆阻器，并且在由于所述其它尖峰而引起的所述强度减小之前，改变了所述第三忆阻器的阻抗。
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