[发明专利]高纯度合成二氧化硅及由其制造的诸如半导体夹具的物品有效

专利信息
申请号: 201180033912.3 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102985378A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: R·B·寇派斯;A·芒迪;I·G·塞斯 申请(专利权)人: 贺利氏石英英国有限公司
主分类号: C03B19/14 分类号: C03B19/14
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本文揭示了透明的合成玻璃质二氧化硅玻璃的空心锭,该空心锭的外径大于400毫米且内径大于300毫米。所述锭基本不含直径大于100微米的气泡和内含物,其任何单独的金属杂质的含量不超过100ppB,并且其含有的氯浓度小于5ppM。本文还揭示了制造此类锭的方法,在该方法中将密度大于0.4克/厘米3的多孔烟炱体沉积在耐氧化的心轴上。在真空条件下或在存在还原性气体的条件下在包含以下物质的心轴上使所述烟炱体脱水,所述物质包括石墨、碳纤维增强的碳、碳化硅、硅浸渍的碳化硅、碳化硅涂覆的石墨或玻璃质二氧化硅,然后在真空条件下或在氦气的气氛中烧结成透明的无孔玻璃。
搜索关键词: 纯度 合成 二氧化硅 制造 诸如 半导体 夹具 物品
【主权项】:
一种透明的合成玻璃质二氧化硅玻璃的空心锭,该空心锭的外径大于400毫米且内径大于300毫米,所述锭具有以下特征:基本不含直径大于100微米的气泡或内含物;任意单独的金属杂质的含量不超过100ppB;以及氯含量小于5ppM。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贺利氏石英英国有限公司,未经贺利氏石英英国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180033912.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top