[发明专利]磁自旋移位寄存器存储器有效
| 申请号： | 201180033934.X | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN103026417A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | E·A·约瑟夫;S·S·P·帕金;M·B·罗思韦尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C19/00 | 分类号： | G11C19/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成存储器器件的方法包括在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔；在所述腔中沉积铁磁材料；在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件；以及在衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 移位寄存器 存储器 | ||
【主权项】：
一种用于形成存储器器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔；在所述腔中沉积铁磁材料；在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件；以及在所述衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。
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