[发明专利]制造隔离电容器的方法及其结构有效
申请号: | 201180033949.6 | 申请日: | 2011-06-29 |
公开(公告)号: | CN102986021A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 权五正;李准东;P·C·帕里斯;D·J·谢皮斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张宁 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种用于制造隔离电容器的方法和结构。该方法包括同时形成穿过SOI和掺杂多晶层而到达下覆绝缘体层的多个深沟槽和围绕多个深沟槽的群组或阵列的一个或更多个隔离沟槽。该方法还包括利用绝缘体材料对多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽进行加衬。该方法还包括利用在绝缘体材料上的传导材料填充多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽。深沟槽形成深沟槽电容器并且一个或更多个隔离沟槽形成一个或更多个隔离极板,该一个或更多个隔离极板将深沟槽电容器的至少一个群组或阵列与深沟槽电容器的另一个群组或阵列隔离。 | ||
搜索关键词: | 制造 隔离 电容器 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:同时形成穿过SOI(10)和掺杂多晶层(20)而到达下覆绝缘体层(18)的多个深沟槽(24b)和围绕所述多个深沟槽的群组或阵列的一个或更多个隔离沟槽(24a);利用绝缘体材料(26)对所述多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽进行加衬;以及利用在所述绝缘体材料上的传导材料(28)填充所述多个深沟槽和所述一个或更多个隔离沟槽,其中所述深沟槽形成深沟槽电容器(24b1)并且所述一个或更多个隔离沟槽形成一个或更多个隔离极板(24a1),该一个或更多个隔离极板将所述深沟槽电容器的至少一个群组或阵列与所述深沟槽电容器的另一个群组或阵列隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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