[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示面板

摘要

各TFT（5a）包括：栅极电极（11aa）；以覆盖栅极电极（11aa）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11aa）重叠的方式设置有沟道区域（C）的半导体层（13b）；在半导体层（13b）上以使得沟道区域（C）露出并且隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（14aa）和漏极电极（14ba），各辅助电容（6a）包括：电容线（11ba）；以覆盖电容线（11ba）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11ba）重叠的方式设置的半导体层（13b）；和在半导体层（13b）上设置、与各像素电极（16a）连接的漏极电极（14ba），包含氧化物半导体的半导体层（13b）与包含氧化物导电体的各像素电极（16a）相互接触。

主权项

一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极；按所述各像素电极分别设置、且与该各像素电极连接的多个薄膜晶体管；和按所述各像素电极分别设置的多个辅助电容，所述各薄膜晶体管包括：设置于基板的栅极电极；以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；设置在该栅极绝缘膜上、以与所述栅极电极重叠的方式配置有沟道区域的半导体层；和设置在该半导体层上、以使得所述沟道区域露出且隔着该沟道区域相互分离的方式配置的源极电极和漏极电极，所述各辅助电容包括：在与所述栅极电极相同的层利用与所述栅极电极相同的材料设置的电容线；以覆盖该电容线的方式设置的所述栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与所述电容线重叠的方式设置的所述半导体层；和设置在该半导体层上、与所述各像素电极连接的所述漏极电极，所述半导体层包含氧化物半导体，所述各像素电极包含氧化物导电体，所述半导体层与各像素电极相互接触。