[发明专利]氮化铝晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201180034602.3 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN103052739A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 福山博之;安达正芳;田中明和;前田一夫 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;H01L21/208 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种廉价且优质的氮化铝晶体的制造方法。在Ga-Al合金熔融液（4）中导入氮气，并在Ga-Al合金熔融液（4）中的籽晶衬底（3）上使氮化铝晶体外延生长。通过设定氮化铝晶体的培育温度在1000℃以上且1500℃以下的范围，使GaN分解为金属Ga和氮气。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝晶体的制造方法，其特征在于，在Ga‑Al合金熔融液中导入含N原子的气体，并在该Ga‑Al合金熔融液中的籽晶衬底上使氮化铝晶体外延生长。
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