[发明专利]耳机连接感测和零上电按钮有效
申请号: | 201180035300.8 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN103004094A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | P·G·扬科沃伊 | 申请(专利权)人: | 伯斯有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H04R5/033;H04R5/04;H02M1/36;H03K3/356;H04R1/10;H01H9/54 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;黄耀钧 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 常开按钮开关被耦合到一对MOSFET且与之协作以便为个人音频设备提供上电开关功能,其不要求在等待按钮开关操作以促使个人音频设备被上电的同时从电源吸取功率以监视按钮开关。个人音频设备的控制器在多个场合下针对信号活动实例的结束监视一个导体,通过该导体,该个人音频设备能够被耦合到另一设备,并且在信号活动结束之后,向导体中注入电流且测量结果得到的电压以计算自适应阈值电压,并将所测量电压与自适应阈值相比较以至少确定个人音频设备的导体是否被耦合到另一设备。 | ||
搜索关键词: | 耳机 连接 零上电 按钮 | ||
【主权项】:
一种设备,包括:常开手动可操作开关;第一MOSFET,其具有被耦合到所述开关的第一栅极以及被耦合到电源的高电位端子以从其接收电功率的第一源极;第二MOSFET,其具有被耦合到所述电源的低电位端子的第二源极;被耦合到所述开关和所述第一MOSFET的第一栅极的第二漏极、以及用以至少通过所述第一MOSFET的第一源极和第一漏极从所述电源接收电功率的第二栅极;以及其中,将所述开关闭合将所述第一栅极耦合到所述电源的低电位电压端子,将所述第一MOSFET置于导通状态,通过所述第一MOSFET向所述第二栅极提供高电位,将所述第二MOSFET置于导通状态,向所述第一栅极提供低电位以将所述第一MOSFET和第二MOSFET锁存在导通状态。
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