[发明专利]具有增强场和电子发射的光学天线无效
申请号: | 201180035546.5 | 申请日: | 2011-06-08 |
公开(公告)号: | CN103081126A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 菲利普·J·雷顿;伊齐基尔·克鲁格利克;玛哈·阿舒尔 | 申请(专利权)人: | 太平洋银泰格拉泰德能源公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 苗源;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种电磁能收集和传感的器件。所述器件使用增强的场来发射电子以进行能量收集。所述器件配置用于收集来自可见光、红外辐射和紫外电磁辐射的能量。所述器件包括具有几何结构的波导,所述几何结构经选择用于增强沿导体的电场以形成局部高电场,这导致跨过间隙向电子返回面的电子发射。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 电子 发射 光学 天线 | ||
【主权项】:
一种场增强能量收集器件,包括:衬底,其包括基面,所述基面包括凹式结构,所述凹式结构具有一个或多个从所述基面向下渐缩的成角度的壁面,在所述成角度的壁面之间形成凹陷空隙,所述凹陷空隙是空的或用透明材料或半透明材料填充,所述一个或多个成角度的壁面在离所述基面一定距离处彼此接触或非常接近,所述一个或多个成角度的表面包括光学暴露于所述凹陷空隙的电磁能传导波导;以及电极,其邻近或非常接近所述衬底,其中所述场增强能量收集器件包括与所述电极相分离的场增强区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的