[发明专利]基板加工方法有效
申请号: | 201180036058.6 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN103025473A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 下井英树;荒木佳祐 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/00;B23K26/04;H01L21/306 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用来将沿着规定的线(12)的空间形成于硅基板(11)的基板加工方法,其具备:通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光(L)聚光于硅基板(11),沿着线(12)在硅基板(11)的内部形成多个改质点(S),从而形成包含多个改质点(S)的改质区域(7)的第1工序;以及在第1工序之后,通过对硅基板(11)实施各向异性蚀刻处理,沿着改质区域(7)使蚀刻选择性地进展,从而在硅基板(11)形成空间的第2工序,在第1工序中,以激光(L)相对于硅基板(11)的移动方向与激光(L)的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光(L)聚光于硅基板(11),并以沿着线(12)排成一列的方式来形成多个改质点(S)。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种基板加工方法,其特征在于,是用来将沿着规定的线的空间形成于硅基板的基板加工方法,其具备:第1工序,通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光聚光于所述硅基板,从而沿着所述线在所述硅基板的内部形成多个改质点,形成包含多个所述改质点的改质区域;以及第2工序,在所述第1工序之后,通过对所述硅基板实施各向异性蚀刻处理,沿着所述改质区域使蚀刻选择性地进展,从而在所述硅基板形成所述空间,在所述第1工序中,以所述激光相对于所述硅基板的移动方向与所述激光的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将所述激光聚光于所述硅基板,并以沿着所述线排成一列的方式形成多个所述改质点。
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