[发明专利]缓冲层形成无效
| 申请号： | 201180036079.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103025910A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·E·比克 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;王彬 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造光伏器件可以包括气相传输沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 形成 | ||
【主权项】：
一种制造光伏器件的方法，所述方法包括：相邻于基底形成半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括铜铟镓二硒化物；加热沉积材料，以形成沉积材料蒸气，其中，沉积材料包括金属硫属化物；利用传输气体通过输送管将沉积材料蒸气传输到沉积室；以及相邻于半导体吸收层形成包括沉积材料的缓冲层。
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