[发明专利]气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件有效
| 申请号： | 201180036153.6 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN103025518A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 井宏元;本田诚;大石清;铃木一生;伊藤聪 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达控股株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高阻隔性能、耐弯曲性、平滑性优异以及切断加工适应性优异的气体阻隔性膜及使用了其的有机光电转换元件。该气体阻隔性膜的特征在于，在基材(2)的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元(5)，该气体阻隔层单元(5)具有用化学蒸镀法形成的第1阻隔层(3)和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层(4)，该第2阻隔层(4)在上述基材面侧具有非改性区域(4B)、在表层侧具有改性区域(4A)。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种气体阻隔性膜，其特征在于，在基材的至少一方的面侧具有气体阻隔层单元，该气体阻隔层单元具有用化学蒸镀法形成了的第1阻隔层和对在该第1阻隔层上涂布硅化合物而形成了的涂膜实施了改性处理的第2阻隔层，该第2阻隔层在所述基材面侧具有非改性区域、在表层侧具有改性区域。
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