[发明专利]在高深宽比特征结构中沉积金属的方法

摘要

本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶材；利用等离子体从靶材溅射金属原子，同时维持物理气相沉积(PVD)腔室内的压力使足以离子化大部分的金属原子；在开口的底表面上以及基板的第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率以将至少某些第一多个金属原子从底表面重分配至该开口侧壁的下部；以及通过减少PVD腔室内的离子化金属原子数量在侧壁上部沉积第二多个金属原子，其中第一多个金属原子与第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上沉积在开口的全表面上。

主权项

一种在物理气相沉积(PVD)腔室内处理基板的方法，该基板具有一开口，该开口形成在该基板的第一表面内，并且朝向该基板的相对的第二表面延伸进入该基板内，该开口拥有高度对宽度为至少5：1的深宽比，该方法包括以下步骤：以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材，以从等离子体形成气体形成等离子体，该靶材设置在该基板上方；施加直流(DC)功率至该靶材，以引导该等离子体朝向该靶材；利用该等离子体从该靶材溅射金属原子，同时维持该PVD腔室内的第一压力使足以离子化从该靶材溅射出的大部分金属原子；在该开口的底表面上以及该基板的该第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率至设置在该基板下方的第一电极，以将至少某些该第一多个金属原子从该底表面重分配至该开口的侧壁的下部；以及通过减少该PVD腔室内的离子化金属原子数量在该侧壁的上部沉积第二多个金属原子，其中该第一多个金属原子与该第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上是沉积在该开口的全表面上。