[发明专利]EUV光刻用带反射层的基板和EUV光刻用反射型掩模底版有效

专利信息
申请号: 201180036685.X 申请日: 2011-07-26
公开(公告)号: CN103026296A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 三上正树;木下健 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: G03F1/24 分类号: G03F1/24;G03F1/48;G03F1/62
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板,其特征在于,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护膜为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层,所述中间层由含0.5~25at%氮、75~99.5at%Si的第一层和含60~99.8at%Ru、0.1~10at%氮、0.1~30at%Si的第二层构成,第一层和第二层的总膜厚为0.2~2.5nm,构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧,所述第二层形成于所述第一层上,所述保护层实质上不含Si。
搜索关键词: euv 光刻 反射层 反射 型掩模 底版
【主权项】:
EUV光刻用带反射层的基板,它是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板,其特征在于,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护膜为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层,所述中间层由含0.5~25at%氮、75~99.5at%Si的第一层和含60~99.8at%Ru、0.1~10at%氮、0.1~30at%Si的第二层构成,第一层和第二层的总膜厚为0.2~2.5nm,构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧,所述第二层形成于所述第一层上,所述保护层实质上不含Si。
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