[发明专利]EUV光刻用带反射层的基板和EUV光刻用反射型掩模底版有效
申请号: | 201180036685.X | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN103026296A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 三上正树;木下健 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/48;G03F1/62 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供Ru保护层的氧化导致的反射率下降得到抑制的EUV掩模底版和用于制造该EUV掩模底版的带功能膜的基板以及该带功能膜的基板的制造方法。所述EUV光刻用带反射层的基板是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板,其特征在于,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护膜为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层,所述中间层由含0.5~25at%氮、75~99.5at%Si的第一层和含60~99.8at%Ru、0.1~10at%氮、0.1~30at%Si的第二层构成,第一层和第二层的总膜厚为0.2~2.5nm,构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧,所述第二层形成于所述第一层上,所述保护层实质上不含Si。 | ||
搜索关键词: | euv 光刻 反射层 反射 型掩模 底版 | ||
【主权项】:
EUV光刻用带反射层的基板,它是在基板上依次形成有反射EUV光的反射层和保护该反射层的保护层的EUV光刻用带反射层的基板,其特征在于,所述反射层为Mo/Si多层反射膜,所述保护膜为Ru层或Ru化合物层,在所述反射层与所述保护层之间形成有中间层,所述中间层由含0.5~25at%氮、75~99.5at%Si的第一层和含60~99.8at%Ru、0.1~10at%氮、0.1~30at%Si的第二层构成,第一层和第二层的总膜厚为0.2~2.5nm,构成所述中间层的所述第一层形成于所述反射层侧,所述第二层形成于所述第一层上,所述保护层实质上不含Si。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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