[发明专利]反向偏压下栅极-源极泄漏降低的自对准半导体装置及制作方法无效
| 申请号： | 201180036701.5 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103038886A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·里特诺尔;大卫·C·谢里登 | 申请（专利权）人： | SSSCIP有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种具有自对准引脚、p+/n/n+或p+/p/n+栅极-源极结的垂直结型场效应晶体管(VJFET)。该装置的栅极可对源极自对准到0.5um内以保持良好的耐高压性能(即低DIBL)并同时在反向偏压下减少栅极-源极结的泄漏。该装置可以是宽带隙半导体装置，如SiC垂直沟道结型场效应。还描述了制造该装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 偏压 栅极 泄漏 降低 对准 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体材料的基材层；位于基材层的上表面上的第一导电类型的半导体材料的沟道层，所述沟道层包括下表面和一个或多个凸起区，所述一个或多个凸起区包括上表面和第一侧壁和第二侧壁，其中，与下表面相邻的凸起区的第一侧壁和第二侧壁向内逐渐变细并从垂直于基材层的上表面形成至少5°的角度，其中所述一个或多个凸起区包括第一导电类型的半导体材料的内部部分和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体材料的外部部分，其中，所述外部部分与第一侧壁、第二侧壁相邻；第二导电类型的半导体材料的栅极区，其位于与相邻的凸起区的外部部分相邻并与该外部部分邻接的沟道层的下表面中；和第一导电类型的半导体材料的源极层，其位于一个或多个凸起区的上表面上；其中，所述凸起区的外部部分从源极层抵消，使得凸起区的外部部分不接触源极层。
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